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AUIRLR3410
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- 专门为汽车应用设计，这种条纹平面设计的HEXFET功率MOSFET采用了最新的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车和各种其他应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRLR3410
- 商品编号
- C533478
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款专为汽车应用设计的条形平面结构HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他各种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证