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1EDN7512B(TP)

1EDN7512B

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商品型号
1EDN7512B(TP)
商品编号
C51939513
商品封装
SOT-23-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.035967克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)8A
拉电流(IOH)4A
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)8ns
属性参数值
下降时间(tf)7ns
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
工作温度0℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.4V~2.6V
输入低电平(VIL)1V~1.2V
静态电流(Iq)-
功能特性使能关断;交错导通保护

商品概述

该器件是一款紧凑型栅极驱动器,能够出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器(缓冲电路)解决方案。该驱动器适用于 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等新兴宽带隙功率器件,适合高速应用。其不对称的 4 A 峰值源电流和 8 A 峰值灌电流增强了抗寄生米勒导通效应的能力。包括宽输入迟滞和负输入电压处理在内的特性增强了瞬态抗扰度。

商品特性

  • 4.5 V 至 18 V 单电源范围
  • 在 VDD 欠压锁定期间输出保持低电平
  • 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑阈值
  • 输入引脚悬空时输出保持低电平
  • 快速上升和下降时间(典型值 9 ns 和 7 ns)
  • 快速传播延迟(典型值 13 ns)
  • 分离输出配置
  • 强大的灌电流提供增强的抗米勒导通能力
  • 输入引脚可承受低于 GND 引脚 -5 V 的电压
  • 紧凑型封装:SOT23-5

应用领域

  • DC-DC 转换器
  • 桌面 PC 电源
  • 开关模式电源
  • 数字电源控制器的配套栅极驱动器
  • 新兴宽带隙功率器件(如 GaN)的栅极驱动器

数据手册PDF