S4D08120A-HXY

S4D08120A-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.45V，有效降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变模块及高压直流配电系统，有助于减小被动器件体积并优化热管理设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S4D08120A-HXY

商品编号

C51896339

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.64克(g)