S4D08120E-HXY

S4D08120E-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、高效率的电力转换环境。其正向导通压降（VF）为1.45V，在高温与高频工作条件下仍能保持稳定的电气性能。得益于碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，该二极管可显著降低开关损耗，提升系统效率。典型应用包括高性能电源模块、高效直流变换装置、不间断电源系统以及光伏逆变设备，适用于对功率密度与热管理有较高要求的电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S4D08120E-HXY

商品编号

C51896334

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.4克(g)