FFSD0865B-F085-HXY

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描述: 该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场合。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提高系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备快速反向恢复能力与较低的开关损耗，支持高频工作模式。其热导率高，可在较高结温下稳定运行，适合应用于通信电源、光伏逆变装置、高密度开关电源模块等对效率和功率密度有较高要求的电子系统中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FFSD0865B-F085-HXY
商品编号: C51896325
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.388克(g)

商品参数