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IRLR2703TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:23A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。这种优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR2703TRPBF
- 商品编号
- C520623
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
~~- 逻辑电平栅极驱动-超低导通电阻-表面贴装(IRLR2703)-直引脚(IRLU2703)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定-无铅