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IRLR3105TRPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:25A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR3105TRPBF
- 商品编号
- C520626
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.535克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款HEXFET®功率MOSFET采用最新的工艺技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下重复雪崩
- 无铅