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VBQF1206
1个N沟道 耐压:20V 电流:19.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench技术，适合于空间有限的应用场合。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,20V；58A；RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1206
- 商品编号
- C516973
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 445pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 嵌入式DC/DC