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VBQG7322

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:6A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于需要小型尺寸和低功率的应用场合,能够在紧凑空间内提供可靠的功率控制和稳定性。DFN6(2X2);N—Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    VBQG7322
  • 商品编号

    C516976
  • 商品封装

    DFN-6(2x2)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.02克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)424pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)42pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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