VBQG7322
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于需要小型尺寸和低功率的应用场合,能够在紧凑空间内提供可靠的功率控制和稳定性。DFN6(2X2);N—Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBQG7322商品编号
C516976商品封装
DFN-6(2x2)包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,5.5A | |
功率(Pd) | 1.3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 424pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 42pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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