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VBTA3615M
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型沟道Trench技术的MOSFET，适用于工作在60V的电路中。SC75-6；2个N—Channel沟道,60V；0.3A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=1.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBTA3615M
- 商品编号
- C516979
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
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