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VBQG4240
2个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
- 描述
- DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-20V；-5.3A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-0.4~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQG4240
- 商品编号
- C516975
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100% 进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 负载开关