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VBQA3316
2个N沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双极性N+N型Trench技术场效应管，适用于需要紧凑结构和高功率密度的电子设备和系统。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；22A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.8~2.4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA3316
- 商品编号
- C516972
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC