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DMG1026UV-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG1026UV-7

2个N沟道 耐压:60V 电流:440mA

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描述
新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMG1026UV-7
商品编号
C508194
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)440mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V;1.4Ω@4.5V
耗散功率(Pd)580mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V@250uA
栅极电荷量(Qg)0.45pC@4.5V
输入电容(Ciss)32pF
反向传输电容(Crss)2.9pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)4.4pF

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具备高可靠性。
  • 符合汽车应用标准的产品型号(DMG1026UVQ)的规格书单独提供。

应用领域

  • 电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等-DC-DC转换器-电源管理功能

数据手册PDF