温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN601TK-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此MOSFET旨在实现导通电阻（RDS(ON)）最小化，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN601TK-7
- 商品编号
- C508202
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 低导通电阻:RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)保护高达2kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的型号(DMN601TKQ)相关数据手册另备
应用领域
-电机控制-电源管理功能