温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN601TK-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此MOSFET旨在实现导通电阻（RDS(ON)）最小化，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN601TK-7
- 商品编号
- C508202
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- ThunderFET功率MOSFET
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）和热增强型封装可提高功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 有源钳位
- 电机驱动开关
- DC/DC转换器
- 电池和电路保护
- 负载开关