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DMN67D8LW-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:240mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN67D8LW-13
- 商品编号
- C508205
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@5V,0.05A | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 821pC | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-背光照明