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DMT6009LSS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT6009LSS-13

耐压:60V 电流:10.8A

描述
新一代MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6009LSS-13
商品编号
C508211
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10.8A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V,13.5A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)33.5nC
输入电容(Ciss)1.925nF@30V
反向传输电容(Crss)41pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试
  • 高转换效率
  • 低RDS(ON)——确保导通状态损耗降至最低
  • 出色的Qgd × RDS(ON)乘积(品质因数)
  • 用于DC - DC转换器的先进技术
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明

数据手册PDF