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MMDT3906-7-F
PNP 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 IC =-200mA 高集电极电流。 外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 互补 NPN 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMDT3906-7-F
- 商品编号
- C508227
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |