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DSS20200L-7
饱和晶体管 PNP 电流:2A 电压:20V
- 描述
- 特性：BVCEO > -20V。 连续集电极电流 IC = -2A。 峰值脉冲电流 ICM = -4A。 低饱和电压 VUE(sat) < -120mV @ -1A。 低等效导通电阻 RCE(sat) = 40mΩ。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSS20200L-7
- 商品编号
- C508212
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 120mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -20V
- 集电极连续电流（IC）= -2 A
- 集电极脉冲峰值电流（ICM）= -4 A
- 低饱和电压：在 -1 A 时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）< -120 mV
- 低等效导通电阻：集电极 - 发射极饱和电阻（RCE(sat)）= 40 mΩ
- 互补 NPN 型：DIODES DSS20201L
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件