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ZXMS6004FFQTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.3A
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- 描述
- 是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6004FFQ非常适合作为由3驱动的通用开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6004FFQTA
- 商品编号
- C508259
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DIODES™ ZXMS6004FFQ是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntellifET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6004FFQ非常适合作为由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关，用于标准MOSFET不够耐用的恶劣环境。
商品特性
- 紧凑的高功率耗散封装
- 低输入电流
- 逻辑电平输入（3.3V和5V）
- 带自动重启功能的短路保护
- 过压保护（有源钳位）
- 带自动重启功能的热关断
- 过流保护
- 输入保护（ESD）
- 高连续电流额定值
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；符合AEC - Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 特别适用于具有高浪涌电流的负载，如灯和电机
- 开关应用中的所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
- 适用于12V和24V直流应用的与微控制器兼容的电源开关
- 可替代机电继电器和分立电路
- 线性模式能力——限流保护电路设计为在低VDS时停用，以最小化导通状态的功耗。因此，最大直流工作电流由封装/电路板组合的散热能力决定，而不是由保护电路决定。这不会影响产品在低VDS时的自保护能力。