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ZVN4106FTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：BVDSS > 60V。 RDS(on) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V。 最大连续漏极电流 ID = 200mA。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVN4106FTA
- 商品编号
- C508255
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.55Ω@10V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源击穿电压（BVDSS） > 60 V
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） ≤ 2.5 Ω
- 最大连续漏极电流（ ID） = 200 mA
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
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