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ZVN4525E6TA
1个N沟道 耐压:250V 电流:230mA
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- 描述
- 这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格参数。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVN4525E6TA
- 商品编号
- C508256
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 72pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。
商品特性
- 高电压
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- 互补P沟道型ZVP4525E6
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电信和通用高压电路
- 接地恢复和拨号开关
- 电子摘机开关
- 高压功率MOSFET驱动器
- 电信呼叫路由器
- 固态继电器
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