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DMG4496SSS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG4496SSS-13

1个N沟道 耐压:30V 电流:10A

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描述
该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMG4496SSS-13
商品编号
C508198
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))29mΩ@4.5V,7.5A
耗散功率(Pd)1.42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)10.2nC@10V
输入电容(Ciss)493.5pF@15V
反向传输电容(Crss)50.4pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性

应用领域

  • 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF