温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG7408SFG-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG7408SFG-7
- 商品编号
- C508199
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 478.9pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61.4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 导通状态下的漏源电阻RDS(on) = 4.8 mΩ（典型值），条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 80 A
- 总栅极电荷QG(tot) = 73 nC（典型值），条件为栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷Qrr的体二极管
- 非钳位感性开关（UIS）能力（单脉冲和重复脉冲）