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IRFBC30APBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容、雪崩电压和电流。 指定有效的Cₒₛₛ。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：开关模式电源（SMPS）。 不间断电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC30APBF
- 商品编号
- C506482
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
NCEP068N10G采用了Super Trench II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 85A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.1mΩ（典型值）
- 具有出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度可达150°C
- 无铅引脚电镀
- 100%经过UIS测试！
- 100%经过ΔVds测试！
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流