AGM14N10MNA
N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):16.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):930pF@40V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM14N10MNA
- 商品编号
- C49233851
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
优惠活动
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