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AGM14N10MNA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM14N10MNA

N沟道 耐压:100V 电流:50A

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描述
类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):16.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):930pF@40V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM14N10MNA
商品编号
C49233851
商品封装
PDFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.166克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)16.5nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)315pF

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优惠活动

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