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AGMH4015C实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGMH4015C

耐压:40V 电流:190A

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V,30A 栅极电荷(Qg@Vgs):81nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4740pF@20V ,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGMH4015C
商品编号
C49233867
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)190A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)81nC@10V
输入电容(Ciss)4.74nF
反向传输电容(Crss)122pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)1.515nF

商品概述

AGMH4015C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON)),以最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA核心电压
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF