AGMH4015C
耐压:40V 电流:190A
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- 描述
- 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5mΩ@10V,30A 栅极电荷(Qg@Vgs):81nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4740pF@20V ,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH4015C
- 商品编号
- C49233867
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.515nF |
商品概述
AGMH4015C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻(RDS(ON)),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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