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AGM28P15D
耐压:150V 电流:30A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V连续漏极电流（Id）：30A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：78mΩ@10V,20A 栅极电荷（Qg@Vgs）122nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5915pF@75V ，工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM28P15D
- 商品编号
- C49233862
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.915nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品概述
AGM28P15D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最大限度地降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA内核电压-开关电源二次侧同步整流-负载点应用-无刷直流电机驱动器