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AGM306MDP
耐压:30V 电流:46A
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- 描述
- 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：30V连续漏极电流（Id）：46A功率(Pd）：20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：6.1mΩ@10V,20A 栅极电荷（Qg@Vgs）：25nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1250PF@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM306MDP
- 商品编号
- C49233866
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V；6.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
AGM306MDP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器