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AGM618MA
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A/-30A 功率(Pd)：51W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,15A;46mΩ@-10V,-15A ; 栅极电荷(Qg@Vgs)：50nC@10V;68nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1480pF@30V;3600pF@-30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM618MA
- 商品编号
- C49233863
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V；68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF；3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF；70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF；136pF |
商品概述
AGM618MA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100%漏源电压变化率测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器