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AGM100P35D
耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：40A功率(Pd）：100W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：30mΩ@10V,15A 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1400pF@40V ，工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM100P35D
- 商品编号
- C49233854
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |