温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM28P15C
耐压:150V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V连续漏极电流（Id）：30A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：78mΩ@10V,20A 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8240pF@75V ，工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM28P15C
- 商品编号
- C49233858
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 81mΩ@4.5V；78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 182pF |
商品概述
AGM28P15C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源(SMPS)二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器