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AGM60P20EY
耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：8A功率(Pd）：8.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：54mΩ@10V,5A 栅极电荷（Qg@Vgs）10.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：525pF@30V ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P20EY
- 商品编号
- C49233860
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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