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AGM2025MNA
耐压:20V 电流:100A
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- 描述
- 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：69W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@4.5V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5670pF@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM2025MNA
- 商品编号
- C49233852
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 416pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
AGM2025MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器