温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCEP01ND35AG
2个N沟道 耐压:100V 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCEP01ND35AG采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP01ND35AG
- 商品编号
- C503042
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCEP01ND35AG采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 35A
- RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 22mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V
- 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
- 100%进行ΔVds测试
应用领域
- DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流