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NCEP30T13GU实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP30T13GU

1个N沟道 耐压:30V 电流:130A

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商品型号
NCEP30T13GU
商品编号
C502968
商品封装
DFN-8(4.9x5.7)​
包装方式
编带
商品毛重
0.197克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V,65A
耗散功率(Pd)80W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)39.6nC@15V
输入电容(Ciss)2.394nF@15V
反向传输电容(Crss)50pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCEP30T13GU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 130A
  • RDS(ON) = 1.7 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 2.7 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷 × RDS(ON)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试!
  • 100%进行ΔVds测试!

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF