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CSD19505KCS
1个N沟道 耐压:80V 电流:208A
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- 描述
- CSD19505KCS 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19505KCS
- 商品编号
- C485534
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.773克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 208A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.82nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.08nF |
商品概述
这款 80V，2.6mΩ，TO - 220 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管(TO)-220 塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交17单
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