CSD25483F4
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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描述
CSD25483F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD25483F4商品编号
C485542商品封装
PicoStar-3包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@4.5V,0.5A | |
功率(Pd) | 500mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 959pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 198pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5.8pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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5+¥0.61038¥0.6782
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6000+¥0.33489¥0.3721¥1116.3
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