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CSD25483F4

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    CSD25483F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 品牌名称TI(德州仪器)
  • 商品型号

    CSD25483F4
  • 商品编号

    C485542
  • 商品封装

    PicoStar-3
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.011克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)210mΩ@4.5V,0.5A
功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)950mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)959pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)198pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)5.8pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

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3000+¥0.35226¥0.3914¥1174.2
6000+¥0.33489¥0.3721¥1116.3

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