UF3C065080K3S

碳化硅(SiC) Cascode JFET，功率N沟道，TO247-3封装

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF3C065080K3S
商品编号: C45082712
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	51nC

商品概述

该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的共源共栅电路配置，其中将一个常开的碳化硅结型场效应晶体管与一个硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，从而形成一个常关的碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，使其能够作为硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的直接替代品。该器件采用TO247-3封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，使其在搭配推荐的RC缓冲电路用于开关感性负载时表现优异，适用于所有需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

典型导通电阻 R_DS(on),typ 为 80 mΩ
最高工作温度为 175 °C
出色的反向恢复特性
低栅极电荷
低本征电容
具备ESD保护，人体模型等级为2级
极低的开关损耗（在典型工作条件下，所需的RC缓冲电路损耗可忽略不计）
该器件为无铅、无卤素产品，符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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