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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UJ3N120070K3S
碳化硅常开JFET功率晶体管，具有超低导通电阻和栅极电荷，适用于低导通和开关损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UJ3N120070K3S
- 商品编号
- C45082795
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电流(Idss) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC |
商品概述
该系列产品具备极低的导通电阻和栅极电荷，从而实现低导通损耗和开关损耗。器件在栅源电压为零伏时具有低导通电阻的常通特性，也使其非常适合无需主动控制的电流保护电路以及级联操作。
商品特性
- 典型导通电阻为 70 m-
- 电压控制型
- 最高工作温度为 175 ~ °C
- 极快的开关速度，且不依赖于温度
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- 该器件为无铅、无卤素且符合 ROHS 标准
应用领域
- 过流保护电路
- 直流-交流逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动