UJ4C075060K4S

碳化硅共源共栅JFET，功率N沟道，750V，58毫欧

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描述: 是 750V、58mΩ 的 G4 SiC FET，基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。采用 TO247-4 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UJ4C075060K4S
商品编号: C45082801
商品封装: TO-247-4
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	37.8nC

商品概述

UJ4C075060K4S是一款750V、58mΩ的G4 SiC FET。它基于独特的“级联”电路配置，其中将一个常开型SiC JFET与一个Si MOSFET共同封装，以产生一个常关型SiC FET器件。该器件标准的栅极驱动特性使其能够真正“即插即用”地替代Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。该器件采用TO247-4封装，具有超低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，使其非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

导通电阻RDS(on)：58mΩ（典型值）
工作温度：175°C（最大值）
优异的反向恢复：Qrr = 52nC
低体二极管VFSD：1.31V
低栅极电荷：QG = 37.8nC
阈值电压VG(th)：4.8V（典型值），支持0至15V驱动
低本征电容
ESD保护：HBM 2级
该器件为无铅、无卤素且符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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