- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
W631GU6RB11I
DDR3L SDRAM，具备双数据率架构和八内部组，适用于高速数据传输
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W631GU6RB11I
- 商品编号
- C45081908
- 商品封装
- VFBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该器件是一款8M×8 banks×16 bit的DDR3L SDRAM，采用双倍数据速率架构，在时钟的上升沿和下降沿均传输数据。其内部架构基于8 bank结构，可实现并发操作，从而提高整体带宽。该器件设计用于在命令/地址（CA）总线上以单倍数据速率（SDR）运行，并采用差分时钟输入（CK和CK#）。数据选通（DQS和DQS#）为差分双向信号，用于在读取和写入操作期间进行数据捕获。该器件支持自动刷新和自刷新模式，工作温度范围为0℃ ~ 95℃（TC），并提供符合RoHS标准的78球FBGA封装。
商品特性
- VDD = 1.35V（1.283V ~ 1.45V），VDDQ = 1.35V（1.283V ~ 1.45V）
- 数据速率：800 Mbps/1066 Mbps/1333 Mbps/1600 Mbps
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 双向差分数据选通（DQS和DQS#）
- DLL对齐DQ和DQS过渡与CK过渡
- 可编程CAS延迟：5、6、7、8、9、10、11
- 可编程附加延迟（AL）：0、CL-1、CL-2
- 可编程CAS写入延迟（CWL）：5、6、7、8
- 可编程突发长度：8
- 可编程突发类型：顺序或交错
- 自动自刷新（ASR）
- 自刷新温度（SRT）
- 局部阵列自刷新（PASR）
- 写入调平
- 多用途寄存器（MPR）
- ZQ校准
- 片上终端（ODT）
- 动态ODT
- 输出驱动器阻抗调整
- tREFI：7.8μs
- 预充电掉电
- 自刷新掉电
- 温度补偿自刷新（TCSR）
- 78球FBGA，无铅且符合RoHS标准