W631GU6RB-11

DDR3L SDRAM，1G位容量，8 banks组织，16位数据宽度

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W631GU6RB-11
商品编号: C45081907
商品封装: VFBGA-96(7.5x13)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

该器件是一款8M×8 banks×16 bit的DDR3L SDRAM，采用双倍数据速率架构，在时钟的上升沿和下降沿均传输数据。其内部架构基于8 bank结构，可实现并发操作，从而提高整体带宽。该器件设计用于在命令/地址（CA）总线上以单倍数据速率（SDR）运行，并采用差分时钟输入（CK和CK#）。数据选通（DQS和DQS#）为差分双向信号，用于在读取和写入操作期间进行数据捕获。该器件支持自动刷新和自刷新模式，工作温度范围为0℃ ~ 95℃（TC），并提供符合RoHS标准的78球FBGA封装。

商品特性

VDD = 1.35V（1.283V ~ 1.45V），VDDQ = 1.35V（1.283V ~ 1.45V）
数据速率：800 Mbps/1066 Mbps/1333 Mbps/1600 Mbps
差分时钟输入（CK和CK#）
双向差分数据选通（DQS和DQS#）
DLL对齐DQ和DQS过渡与CK过渡
可编程CAS延迟：5、6、7、8、9、10、11
可编程附加延迟（AL）：0、CL-1、CL-2
可编程CAS写入延迟（CWL）：5、6、7、8
可编程突发长度：8
可编程突发类型：顺序或交错
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
局部阵列自刷新（PASR）
写入调平
多用途寄存器（MPR）
ZQ校准
片上终端（ODT）
动态ODT
输出驱动器阻抗调整
tREFI：7.8μs
预充电掉电
自刷新掉电
温度补偿自刷新（TCSR）
78球FBGA，无铅且符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3L SDRAM
	时钟频率(fc)	933MHz
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V