UJ4C075033K4S

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描述: 是一款750V、33mΩ的G4 SiC FET。基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，以生产常关SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。采用TO247-4封装，该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，使其非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UJ4C075033K4S
商品编号: C45082797
商品封装: TO-247-4
包装方式: 编带
商品毛重: 8.947克(g)

商品参数

商品概述

UJ4C075033K4S是一款750V，33mΩ的G4 SiC FET。它基于独特的级联电路配置，将一个常开型SiC JFET与一个Si MOSFET共同封装，以形成一个常关型SiC FET器件。该器件标准的栅极驱动特性使其能够真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。该器件采用TO247-4封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

典型导通电阻R_DS(on)为33 mΩ
最高工作温度为175°C
出色的反向恢复特性：Q_rr = 88 nC
低体二极管正向压降V_PSD：1.26V
低栅极电荷：V_G = 37.8 nC
典型阈值电压V_G(th)：4.8V，支持0至15V驱动
低本征电容
具备ESD保护：HBM Class 2和CDM Class C3
TO247-4封装，有助于实现更快的开关速度和更干净的栅极波形
该器件为无铅、无卤素产品，符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	类型	N沟道
	漏源电压(Vdss)	750V
	连续漏极电流(Id)	47A
	耗散功率(Pd)	242W
	阈值电压(Vgs(th))	6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	37.8nC
	输入电容(Ciss)	1.4nF
	反向传输电容(Crss)	2.5pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	68pF
	导通电阻(RDS(on))	41mΩ