UF3C120150B7S

硅碳化物级联JFET功率N沟道晶体管

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF3C120150B7S
商品编号: C45082714
商品封装: D2PAK-7
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	25.7nC

商品概述

该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的共源共栅电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，可作为硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的直接替换件。该器件采用TO-263-7封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

导通电阻RDS(on): 150 mΩ（典型值）
工作温度：175 ~℃（最大值）
优异的反向恢复特性：Qrr = 67 nC
低体二极管正向压降：1.46 V
低栅极电荷：QG = 25.7 nC
阈值电压VG(th): 4.4 V（典型值），支持0至15 V驱动
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
开尔文源极引脚，优化开关性能
具备静电放电防护，人体模型等级2
该器件为无铅、无卤素产品，符合有害物质限制指令

应用领域

电信和服务器电源
工业电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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