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UF3SC120040B7S

碳化硅共源共栅JFET，功率N沟道，1200V，35毫欧，TO-263-7封装

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描述: 这款碳化硅场效应管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开型碳化硅结型场效应管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（Si MOSFET）共同封装，形成常关型碳化硅场效应管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO-263-7封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF3SC120040B7S
商品编号: C45082721
商品封装: TO-263-7
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	43nC

商品概述

该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的共源共栅电路配置，其中将一个常开型碳化硅结型场效应晶体管与一个硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，以形成一个常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，使其能够作为硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的直接替换品。该器件采用 TO-263-7 封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

导通电阻 RDS(on)：35 mΩ（典型值）
工作温度：175℃（最大值）
优异的反向恢复特性：Qrr = 358 nC
低体二极管正向电压 VFSD：1.5 V
低栅极电荷：QG = 43 nC
阈值电压 VG(th)：5 V（典型值），支持 0 ~ 15 V 驱动
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
开尔文源极引脚，优化开关性能
具备 ESD 保护，符合人体模型 2 级标准
该器件为无铅、无卤素产品，符合 RoHS 标准

应用领域

电信与服务器电源
工业电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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