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UJ3C120070K3S
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（Si MOSFET）共同封装，形成常关碳化硅场效应管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO247-3封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UJ3C120070K3S
- 商品编号
- C45082783
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 34.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 254.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 114pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
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