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UJ3N065080K3S
碳化硅（SiC）JFET，功率N沟道，T0247-3，650V，80毫欧
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- 描述
- 提供高性能G3碳化硅常开JFET晶体管。该系列具有超低导通电阻 （RDS(ON)） 和栅极电荷 （QG），可实现低传导和开关损耗。该器件在VGS = 0 V时具有低RDS(ON)的常开特性，也适用于无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UJ3N065080K3S
- 商品编号
- C45082793
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC |
商品概述
安森美提供高性能G3碳化硅常开JFET晶体管。该系列展现出超低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG，从而实现低导通和开关损耗。该器件在VGS = 0 V时具有低RDS(ON)的常开特性，也使其非常适合无需主动控制的电流保护电路，以及级联操作。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on)，典型值为80 mΩ
- 电压控制
- 最高工作温度为175℃
- 极快的开关速度，不依赖于温度
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- 该器件为无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 过流保护电路
- 直流 交流逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动器