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UF4C120070K4S

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描述: 它基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装，以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。采用 TO-247-4L 封装，该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF4C120070K4S
商品编号: C45082723
商品封装: TO-247-4
包装方式: 管装
商品毛重: 12.133333克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	37.8nC

商品概述

UF4C120070K4S是一款1200V、72mΩ的第四代碳化硅场效应晶体管。它采用独特的级联电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，从而形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，可实现对硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的真正“直接替换”。该器件采用TO-247-4L封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动要求的应用。

商品特性

导通电阻 RDS(on)：72mΩ（典型值）
工作温度：175℃（最大值）
出色的反向恢复特性：Qrr = 119 nC
低体二极管正向压降 VFSD：1.43 V
低栅极电荷：Qg = 37.8 nC
阈值电压 VGS(th)：4.8 V（典型值），支持0至15 V驱动
低本征电容
ESD保护：符合HBM Class 2和CDM Class C3标准
TO-247-4L封装，可实现更快的开关速度和更干净的栅极波形
本器件为无铅、无卤素产品，符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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