UF3C120080K3S

碳化硅（SiC）级联JFET功率N沟道晶体管

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF3C120080K3S
商品编号: C45082713
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	51nC

商品概述

该碳化硅场效应管器件基于独特的共源共栅电路配置，其中将常开型碳化硅JFET与硅MOSFET共同封装，以产生常关型碳化硅场效应管器件。该器件标准的栅极驱动特性使其能够真正实现“直接替换”硅IGBT、硅场效应管、碳化硅MOSFET或硅超结器件。该器件采用TO247-3封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，使其在与推荐的RC缓冲器配合使用时，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

典型导通电阻 R_DS(on),typ 为 80 mΩ
最高工作温度为 175℃
优秀的反向恢复特性
低栅极电荷
低本征电容
ESD保护，符合HBM 2级标准
极低的开关损耗（在典型工作条件下，所需的RC缓冲器损耗可忽略不计）
该器件为无铅、无卤素且符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动

数据手册PDF

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