UF3C065040T3S

碳化硅共源共栅JFET功率N沟道器件，超低栅极电荷，反向恢复特性出色，适用于标准栅极驱动

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF3C065040T3S
商品编号: C45082711
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.68克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	51nC

商品概述

这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开型碳化硅结型场效应管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（Si MOSFET）共同封装，形成常闭型碳化硅场效应管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）、硅场效应管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO220 - 3封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，与推荐的RC缓冲器配合使用时，非常适合切换感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

典型导通电阻RDS(on),typ为42 mΩ
最高工作温度为175°C
出色的反向恢复性能
低栅极电荷
低固有电容
静电放电（ESD）保护，人体模型（HBM）2级
极低的开关损耗（在典型工作条件下，所需RC缓冲器损耗可忽略不计）
该器件无铅、无卤素，符合RoHS标准

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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